РАЗРАБОТКА ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПРОЦЕДУР ВЫРАЩИВАНИЯ ИЗОТИПНЫХ ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЕРЕХОДОВ AlGaAs-GaAs и InGaAs/GaAs

Усмонов Жафар  Исроилович

Authors

Усмонов Жафар Исроилович научный сотрудник Бухарского института управления природными ресурсами НИУ «ТИИИМСХ»

Keywords:

полупроводник, Фотопроводимость, эпитаксиа, легирования, гетерофотопреобразовател, подложка

Abstract

основными факторами, определяющими возможность дальнейшего повышения КПД гетерофотопреобразователей со структурой pGa1-xAlxAs-pGaAs-nGaAs-n+GaAs, являются оптимизация профиля распределения Al по толщине, оптимизация толщины слоя pGaAs, оптимизация поверхности и достижение большего роста КПД при её просветлении, а также применение микрорельефной поверхности, способствующей увеличению падающего излучения.